磁传感器的发展历程
：答：(4) 巨磁电阻多层膜。由不同金属、不同层数和层间材料的不同组合,可以制成不同的机制的巨磁电阻(giant magneto - resistance) 磁传感器。它们呈现出的随磁场而变化的电阻率,比单层的各向异性磁敏电阻器的要高出几倍,正受到研制高密度记录磁盘读出头的科技人员的极大关注，已见有5 G字节的自旋阀头...

有研稀土新材料股份有限公司的科研中心
：答：开发成功了低成本、大直径稀土超磁致伸缩材料的一步法制备技术,制备的稀土超磁致伸缩材料已经批量供应给军工单位使用,效果良好;研发的新型磁电阻材料,采用薄膜复合技术和先进的微加工工艺制备的自旋阀型全钙钛矿锰氧化物巨磁电阻隧道结,其磁电阻变化率达到国际领先水平。目前有研稀土具有制备和测试磁效应材料的各种设备。

07年诺贝尔物理学奖的实用价值是什么?
：答：这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。巨磁阻效应在高密度读出磁头、磁存储元件上有着广泛的应用。

阙炎舍15111292500：    什么是巨磁电阻效应(GMR)?效应产生的条件、机理及应用 -
贝狮萧:      ： 所谓巨磁阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象.巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构.这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成.当铁磁层的磁矩相互平...

阙炎舍15111292500：    巨磁电阻传感器是如何实现的 -
贝狮萧:      ： GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻效应).是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象.巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构.这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成.当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电阻.当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大.上下两层为铁磁材料,中间夹层是非铁磁材料.铁磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的,因而较小的磁场也可以得到较大电阻变化的材料.

阙炎舍15111292500：    简单,通俗的讲讲巨磁效应.
贝狮萧:      ： 由外加磁场引起的一些磁性材料的电阻巨大变化(称为巨磁电阻效应)是磁电子学中一项重要内容.在室温下具有巨磁电阻效应的巨磁电阻材料目前已有许多种类,例如,多层膜巨磁电阻材料,颗粒型巨磁电阻材料,氧化物型巨磁电阻材料,隧道...

阙炎舍15111292500：    磁性多层膜、自旋阀跟隧道结什么关系. 有点搞混了. -
贝狮萧:      ： 磁性多层膜范围就广了,你按字面意义去理解就可以了,就是铁磁性的多次薄膜.自旋阀就是在两层磁性薄膜中间夹一层导体薄膜,一般是铜膜等.隧道结也差不多,不过中间的膜是绝缘体,一般是氧化镁.自旋阀和隧道结的两个磁性膜中,一个磁化方向固定,另一个可以改变.通过改变他们的相对磁化方向来改变薄膜的电阻大小.

阙炎舍15111292500：    什么是temperature -
贝狮萧:      ： blocking temperature: 可以为【保存温度】也可以为【阻隔温度】 也可作阻挡温度 一般在铁磁层与反铁磁层的交换磁异向性的研究中,铁磁层多为fe、co或nife等3d过渡铁磁性金属.而反铁磁层材料的选择除了对其本身的磁性结构与耦合机制...

阙炎舍15111292500：    用作磁存储的磁头材料有哪些? -
贝狮萧:      ： 在读出被记录的信号时,磁头是磁记录的一种磁能量转换器,磁头同磁记录介质一样是磁记录中的关键元件. ① 高性能软磁材料 高性能软磁材料必须具备高饱和磁化强度、高磁导率和良好的热稳定性,为此结晶磁性各向异性和磁致伸缩系数应该极小和趋于零. 主要有非晶态合金软磁材料、纳米结晶软磁材料和金属-非金属颗粒膜软磁材料. ② 巨饱和磁化强度材料 今后这种材料研究的重点是Fe16N2薄膜. ③ 巨磁阻薄膜 主要研究的有强耦合多层膜的巨磁阻材料,自选阀巨磁阻材料,铁磁隧道结自旋阀巨磁电阻材料,颗粒合金薄膜巨磁电阻,掺杂稀土锰氧化物巨磁电阻材料等.

阙炎舍15111292500：    什么是解释巨磁电阻效应的两电流模型 -
贝狮萧:      ： 在过渡金属中,自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子,所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子.总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联电阻,这就是所谓的两电流模型.万恶的物理实验报告啊...

阙炎舍15111292500：    什么是巨磁电阻效应的两电流模型? -
贝狮萧:      ： 电子除携带电荷外,还具有自旋特性,自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向.早在 1936年,就有理论指出,在过渡金属中,自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子,所受散射几率远 小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子.总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流 的并联电阻,这就是所谓的两电流模型.

阙炎舍15111292500：    如图所示,是演示巨磁电阻(GMR)特性的原理示意图.开关S1、S2闭合时,向左稍微移动滑动变阻器的滑片P,指示灯的亮度明显变亮,对对上述过程及出... -
贝狮萧:      ：[选项] A. 流过电磁铁线圈的电流变小 B. 电磁铁周围的磁场变弱 C. GMR的阻值随所在处磁场增强而减小 D. 磁场使指示灯的电阻变小

阙炎舍15111292500：    不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因 -
贝狮萧:      ： 不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因是因为因为电阻改变,所以影响电流. 巨磁电阻(GMR)效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象,一般将其定义为gmr=其中(h)为在磁场h作用下材料的电阻率(0)指无外磁场作用下材...

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