巨磁阻的电阻元件
：答：巨磁敏电阻元件铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下，其阻值发生很大的变化（达4～10℅，各向异性磁敏电阻为小于3%）。该现象叫巨磁阻效应。巨磁电阻（GMR）传感器是利用具有巨磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料，通过半导体集成工艺制作而成。具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽...

什么是巨磁电阻效应?
：答：研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10-5%；对于磁性金属或合金材料（例如坡莫合金），Δr/r可达（3~5）%。所谓巨磁电阻（GMR）效应，是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小，而Δr/r急剧增大的特性，一般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电阻约高10倍。利用这一效应...

巨磁阻的介绍
：答：巨磁阻又称特大磁电阻，即GMR（Giant Magneto Resistance），比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上，GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。

什么是巨磁阻效应?
：答：一般强磁性材料的磁电阻率（磁场引起的电阻变化与未加磁场时电阻之比）在室温下小于8％，在低温下可增加到10％以上。已实用的磁电阻材料主要有镍铁系和镍钴系磁性合金。室温下镍铁系坡莫合金的磁电阻率约1％～3％，若合金中加入铜、铬或锰元素，可使电阻率增加；镍钴系合金的电阻率较高，可达6％。

巨磁阻效应灵敏度计算
：答：巨磁阻效应灵敏度计算：K=V/B，计算出赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度为：B=(8/5^(3/2))*(μNI/R)。电压部分用电桥电路，连接毫伏表，如果毫伏表精度不够，就连接一个放大器。注意的是巨磁阻传感器是有一个线性工作范围的，所以要先确定这个范围，然后才能计算灵敏度。先要设计一个赫姆...

巨磁阻灵敏度用公式怎么表示?
：答：磁电阻电桥与旋转角度相关的灵敏度可表示为：Sb=∣DVo(Q)/ Vi/DQ∣ （2）式中：ΔVo（Θ）—桥路不平衡时输出电压变化率；Vi—桥路输入电压；ΔΘ—敏感角度变化率。该传感器的加工工艺包括形成Al2O3芯片、光刻LSMO形成电桥以及最后进行退火热处理等12步。芯片总尺寸为 17mm´17mm´...

什么是巨磁阻效应
：答：巨磁阻抗效应的发现 1992年，日本名古屋大学的K.Mohri教授等在CoFeSiB软磁非晶丝中发现了巨磁阻抗(GMI)效应，其阻抗变化率△Z/Z0在几Oe磁场作用下可达50%，比金属多层膜Fe/Cu或Co/Ag在低温且高磁场强度下观察到的巨磁电阻效应高一个数量级。由于巨磁阻抗（GMI）效应具有灵敏度高、反应快和稳定性...

什么是巨磁阻传感器的灵敏度?
：答：根据毕奥－萨伐尔定律，可以计算出赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度为：B=(8/5^(3/2))*(μNI/R)电压部分用电桥电路，连接毫伏表，如果毫伏表精度不够，就连接一个放大器。注意的是巨磁阻传感器是有一个线性工作范围的，所以要先确定这个范围，然后才能计算灵敏度。

巨磁阻的磁头记录
：答：“巨磁阻”,全称为“巨大磁致电阻”。在98年左右,巨磁阻磁头开始被大量应用于硬盘当中,从那时起,短短的几年时间里,硬盘的容量就从4G提升到了当今的400G。但是,即便是这项叱诧风云的技术,发展到现在也已经接近了极限,硬盘容量的提升必须寻求新的技术。目前行业公认的下一代技术是“垂直磁记录”技术,即“记录位...

巨磁电阻材料的简介
：答：巨磁电阻材料是指电阻随外加磁场强度的改变而发生显著变化的材料,电阻的变化率一般达百分之几,也有达百分之几十的,最高可达百分之,这种磁电阻变化在纳米薄膜材料中比较显著。巨磁电阻薄膜材料的广泛研究始于1988年Baibich等人的一个惊人的发现,即在由Fe、Cr交替沉积形成的多层膜中发现了超过50%的磁电阻...

花杨狐15088201932：    巨磁阻灵敏度怎么计算 -
闻瑶怪:      ： K=V/B. 先要设计一个赫姆霍兹线圈,赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成.两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的半径R.这种线圈的特点是能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场,根据毕奥-萨伐尔定律,可以计算出赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度为: B=(8/5^(3/2))*(μNI/R) 电压部分用电桥电路,连接毫伏表,如果毫伏表精度不够,就连接一个放大器.注意的是巨磁阻传感器是有一个线性工作范围的,所以要先确定这个范围,然后才能计算灵敏度.

花杨狐15088201932：    不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因 -
闻瑶怪:      ： 不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因是因为因为电阻改变,所以影响电流. 巨磁电阻(GMR)效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象,一般将其定义为gmr=其中(h)为在磁场h作用下材料的电阻率(0)指无外磁场作用下材...

花杨狐15088201932：    巨磁阻到底是什么?
闻瑶怪:      ： 巨磁阻又称特大磁电阻,庞磁电阻等~其MR(磁电阻)可高达10^6%! 诺贝尔评委会主席佩尔·卡尔松用斗劲通俗的说话解答了这个问题.他用两张图片的对比说了然巨...

花杨狐15088201932：    什么叫做磁阻效应 -
闻瑶怪:      ： 1. 谓磁电阻效应,是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化.其全称是磁致电阻变化效应.磁电阻效应可以表达为 式中 △ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量; ρ0——无磁场时的电阻率; ρB——有磁场时的电阻率. ...

花杨狐15088201932：    巨磁阻效应 有哪些因素影响测量结果 -
闻瑶怪:      ： 当半导体处于磁场中时,导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍耳电常如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场...

花杨狐15088201932：    巨磁电阻中不同的磁偏置影响电流测量灵敏度的原因是?巨磁电阻中不同
闻瑶怪:      ： 磁场方向会影响巨磁电阻灵敏度,

花杨狐15088201932：    巨磁电阻传感器是如何实现的 -
闻瑶怪:      ： GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻效应).是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象.巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构.这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成.当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电阻.当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大.上下两层为铁磁材料,中间夹层是非铁磁材料.铁磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的,因而较小的磁场也可以得到较大电阻变化的材料.

花杨狐15088201932：    巨磁电阻效应是怎么一回事阿? -
闻瑶怪:      ： 所谓巨磁阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象.巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构.这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成.当铁磁层的磁矩相互平...

花杨狐15088201932：    巨磁电阻原理是什么?其与近期推出的SSD(固态硬盘)有无关系? -
闻瑶怪:      ： 1.巨磁电阻(GMR)效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象,一般将其定义为gmr=其中(h)为在磁场h作用下材料的电阻率(0)指无外磁场作用下材料的电阻率.根据这一效应开发的小型大容量...

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