磁阻效应

表征磁电阻大小的物理量
：答：对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被...

什么是巨磁电阻效应(GMR)?效应产生的条件、机理及应用
：答：与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大.巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到.这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关,两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值,明显...

什么是巨磁电阻效应的两电流模型
：答：巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向。电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。在...

磁阻效应的发展经历
：答：材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（MR）。磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。

霍耳传感器为何有磁阻效应?
：答：哈哈哈，如果你搞懂了霍尔效应的原理和磁阻效应的原理这个问题就解决了。磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向...

磁阻效应的测量方法
：答：磁阻效应的测量方法：除了霍尔效应之外。电磁感应是最基本的测量磁感应强度的方法。不过电磁感应原理只能测量变化的磁感应强度，当磁感应强度恒定时，一般采用霍尔效应测量。此外，对于一些模型较简单的产生磁感应强度的装置，在已知磁导率的情况下，也可以通过测量电流、位置的方法计算磁感应强度。一、实验原理 ...

磁阻效应对霍尔系数测量结果有什麽影响?如何减小该影响
：答：磁阻效应对霍尔系数测量结果有磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转的影响。磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转，霍尔系数RH与磁场强度有关，霍尔效应伴随有各种付效应，产生的附加电位差会迭加在霍尔电位差上，减小方法：在规定了电流IS和磁场B的正、反方向后改变磁场电流方向，测四组数据，取绝对值相加除以...

磁敏电阻的工作原理
：答：磁敏材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括材料的电阻率随磁场而变化和元件电阻值随磁场而变化两种现象。前者称磁电阻率效应或物理磁阻效应，后者称为磁电阻效应或几何磁阻效应。 磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钴合金。常用的半导体有InSb(或InSb-NiSb共晶材料)、...

为什么将霍尔电场短路后磁阻效应更加明显?
：答：由于有较大的输出功率，故配用电路较简单，零位及性能稳定。在霍尔效应速度传感器中，当测速的靶转到霍尔效应传感器的位置，即霍尔传感器位于靶及磁铁之间，霍尔效应传感器检测到靶感应的磁通量变化。不象可变磁阻传感器（VR），霍尔效应传感器感测的是磁通量的大小，而VR感测的是磁通量的变化率。磁阻效应沿...

霍尔传感器为何有磁阻效应
：答：在半导体薄膜两端通以控制电流I，并在薄膜的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场强度与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，这个现象叫做霍尔效应。在垂直于电流和磁场的方向上，将产生的内建...