什么叫磁阻效应?
问题二：霍尔传感器为什么会有磁阻效应？ 当导电材料处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受到洛伦兹力的作用发生偏转，在两端积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场和某一速度载流子的的洛伦兹力作用恰好抵消，那么大于或小于该速度的载流子将发生偏转，使得沿外加电场方向运动的载流子数量减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。
问题三：磁阻效应的分类 若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉・汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”(ordinarymagnetoresistance,OMR)。巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。 如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于1995年，由TerunobuMiyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomacces *** emory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。
问题四：磁阻效应由什么因素引起啊？？？ 当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量丹减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应
问题五：磁阻效应的发展经历 材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（MR）。磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉・汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。
问题六：如何区分霍尔效应与磁阻效应 磁场中的导体流过电流时，载流子会受到洛伦兹力，电流方向的载流子会垂直磁场方向发生偏转，因此电流会减小，这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效场是霍尔效应。
问题七：磁阻效应的应用 磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。其中最典型的锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器件磁电阻，有着十分重要的应用价值。2007年诺贝尔物理学奖授予来自法国国家科学研究中心的物理学家艾尔伯・费尔和来自德国尤利希研究中心的物理学家皮特・克鲁伯格，以表彰他们发现巨磁电阻效应的贡献。
问题八：磁阻效应和霍尔效应有何内部联系 霍尔效应导致了金属或半导体电阻增大的现象，表现为磁阻现象。霍尔效应是本质
15282253388：大学物理实验磁阻效应
龚学逸
：答：磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义:是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时,由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用,产生了磁阻效应。 扩展资料 磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻...
15282253388：磁阻效应的定义是什么呢?
龚学逸
：答：1、磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。2、霍耳传感器它将霍耳元件固定于弹性敏感元件上，在压力的作用下霍耳元件随弹性敏感元件的变形而在磁...
15282253388：什么是磁阻效应?
龚学逸
：答：当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗...
15282253388：物理磁阻效应的定义
龚学逸
：答：磁阻是表示磁路对磁通所起的阻碍作用，即磁路中的磁动势Ni与它所激发的磁通量Φ之比。常用Rm表示，即Rm=Ni/Φ，单位为1/亨。 对于横截面积均匀的一段磁路，其磁阻与磁路的长度l成正比，与横截面积S成反比，比例系数即为磁阻率，即Rm=1/μs。串联磁路的磁阻等于各分路磁阻之和，并联磁路磁阻的...
15282253388：什么是磁阻效应
龚学逸
：答：磁阻效应是指在磁场作用下，材料的电阻发生变化的现象。通常，物质的电阻率在磁场中仅仅只能产生轻微的变化。但当磁性材料置于磁场中时，其电子的自旋会在磁场作用下定向，导致电子运动轨迹的变化，从而影响电子在材料中的流动，导致电阻率发生变化。磁阻效应是一种非常有用的物理现象，它在磁场传感器、磁...
15282253388：磁阻效应的含义
龚学逸
：答：磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛...
15282253388：磁电阻效应是什么?
龚学逸
：答：所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化，通常用电阻变化率Δr/r描述。研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10-5%；对于磁性金属或合金材料（例如坡莫合金），Δr/r可达（3~5）%。所谓巨磁电阻（GMR）效应，是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小，而Δr/r急剧增大的特性...
15282253388：磁阻效应是什么意思?
龚学逸
：答：物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。磁阻传感器正是利用这一原理制成的。磁性材料(如坡莫合金...
15282253388：磁阻效应是什么意思
龚学逸
：答：你说的应该对，产生原因和霍尔效应相类似，就是磁场的存在使得导体中的自由电子或半导体中的电子和空穴受到洛伦兹力作用，改变其传播路径，使得电流所受到的阻碍作用“变大”
15282253388：磁阻效应和霍尔效应有关吗?
龚学逸
：答：磁场中的导体流过电流时，载流子会受到洛伦兹力，电流方向的载流子会垂直磁场方向发生偏转，因此电流会减小，这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效应是霍尔效应。磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场...
