IGBT电路中IGBT的栅极为什么不接任何电极？是不是省略了？高人教一下！谢谢！

这个没有普适的计算公式，也没有定值，是根据实际应用的需要来选取的。一般是选择为数据手册上的测试值的3倍左右。

IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V，但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。
IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2~3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
IGBT 的转移特性与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

扩展资料
IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。
应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。此外，在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

参考资料来源：百度百科—IGBT

18266673237：IGBT电路中IGBT的栅极为什么不接任何电极?是不是省略了?高人教一下!谢...
乔甘饺 ：答：是省略了，这是两个个电桥电路，只说左边的。IGBT的四个栅极都是由单片机或者PLC之类的控制回路控制它的导通与否。顺便标识一下左边这个电路的四个IGBT，从左上开始逆时针排列1，2，3，4.当第一个和第三个IGBT导通时候，另两个不导通，电流从第一个IGBT流过输出的变压器，到达第三个IGBT。所以电流...

18266673237：为什么IGBT栅极电阻要取得这么大呢?
乔甘饺 ：答：限制栅极电流： 电阻可以限制栅极的充放电电流，从而防止电流过大使IGBT管工作不稳定。这可以保护IGBT不受因电流过大导致的破坏。降低开关速度： 加入栅极电阻可以减慢IGBT的开关速度（造成栅极电压上升或下降的速度减小），从而减小系统中可能发生的过压、电流冲击等问题，提高了系统的稳定性。减小电磁干扰：...

18266673237：IGBT栅极没加电阻为什么会炸
乔甘饺 ：答：首先，IGBT的输入阻抗很高，即使是空间杂散电场也会导致IGBT导通，何况还有从C极传导过来的微弱漏电流，所以一定要加上G极对E极的释放电荷的电阻。第二，如果是没加驱动电阻RG则会导致IGBT的DI/DT或DU/DT太大，当这两个值超过了IGBT的允许值后会导致IGBT击穿，电流急剧上升而产生大量的热而炸开。

18266673237：IGBT怎么测量好坏
乔甘饺 ：答：2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指...

18266673237：绝缘栅双极型晶体管是以什么为栅极
乔甘饺 ：答：绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。其具有如下优点：1、输入阻抗高，驱动功率小。2、开关速度快。3、驱动电路简单。4、工作频率高。5、导通压降较低、功耗较小。6、能承受高电压大电流。7、热稳定性好。IG...

18266673237：|GBT导通和截止条件
乔甘饺 ：答：IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向...

18266673237：为什么igbt的g和e之间必须跨接电阻
乔甘饺 ：答：IGBT的G极，有很大的电容和高的输入电阻（输入电容），电容的电荷必须有泄放通道。否则当感应的电荷 量达到一定值，IGBT会自动开启。严重时电荷量可能会击穿栅极而损坏管子。不管是否在线，IGBT栅极必须有电阻或与E极短接

18266673237：mosfet 和IGBT的栅极不是和漏极绝缘的吗,怎么会有驱动电流呢(或者说...
乔甘饺 ：答：由于MOSFET和IGBT的栅极与漏极和源极之间都存在寄生电容。器件的开通不是一下完成的，而是栅极电流逐渐给栅极寄生电容充电，充电到阈值电压，器件才开通。同样，器件关断的时候也不是一下完成的，需要使栅极寄生电容放电，栅极电压降低到阈值电压以下，器件才关断。这就是为什么MOSFET和IGBT器件的开关时间。其...

18266673237：IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系?为什么?
乔甘饺 ：答：，是专业做驱动的公司，但我还是不同意楼上所说。栅极电压越大，开通的越彻底，开通时间也越短，开关损耗也越小，但是短路时的电流也就大，因此允许短路的时间也就越短。反之，栅极电压越小，开通越不彻底，开通时间也越长，开关损耗也越大，但是短路时的电流就越小，因此允许短路的时间也越长。

18266673237：IGBT模块的工作原理?
乔甘饺 ：答：IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素...