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硅压阻式压力传感器原理图

来源:www.zuowenzhai.com    作者:编辑   日期:2024-05-28
求压阻式传感器原理以及原理图?

压阻式压力传感器是利用晶体的压阻效应制成的传感器。当它受到压力作用时,应变元件的电阻发生变化,从而使输出电压发生变化。一般压阻式压力传感器是在硅膜片上做成四个等值的电阻的应变元件,构成惠斯登电桥。当受到压力作用时,一对桥臂的电阻变大,而另一对桥臂电阻变小,电桥失去平衡,输出一个与压力成正比的电压。由于硅压阻式压力传感器的灵敏系数叱金属应变的灵敏系数大50 100倍,故硅压阻式压力传感器的满量程输出可达几十毫伏至二百多毫伏,有时不需要放大就可直接测量。另外,压阻式压力传感器还有易于微型化、测量范围宽、频率响应好(可测几千赫的脉动压力)和精度高等特点。但在使用过程中,要注意硅压阻式压力传感器对温度很敏感,在具体的应用电路中要采用温度补偿。目前,大多数硅压阻式压力传感器已将温度补充电路做在传感器中,从而使得这类传感器的温度系数小于±0.3%的量程。

  压阻式压力传感器可以由恒压源或恒流源供电。若传感器四个桥臂的电阻相等(均为R),当有压力作用时,两个桥臂随温度的变化量为ART,经推导可以得出以下结论:使用恒压源供电时,电桥的输出受△R/R、电桥电压【,和AR,r的影响,即增加了温度误差。而使用恒流源供电时,电桥输出只受电桥电流J和△尺的影响。所以一般均采用恒流源给传感器供电。

  图4-18是压阻式压力传感器的典型应用电路。该电路由Ai,VDi,VTi和Ri构成恒流源电路对电桥供电,输出1.5 mA的恒定电流。

  为了保证测量电路的精度,在测量电路中设置了由VD3和~组成的温度补偿电路,其原理是利用硅二极管对温度很敏感而作为温度补偿无件。一般二极管的温度系数为-2 mV/℃。调节Wl可获得最佳的温度补偿效果。

  运放A3和A4组成两级差动放大电路,放大倍数约为60,并由W2来调节增益的大小。

  若传感器在零压力时,测量电路的输出不为零,这时要在电路中增加零输出调整电路。如图4-18所示,调节W2的大小,以达到使传感器在零压力时输出为零。

压阻式压力传感器

固体受力后电阻率发生变化的现象称为压阻效应。压阻式压力传感器是基于半导体材料(单晶硅)的压阻效应原理制成的传感器,就是利用集成电路工艺直接在硅平膜片上按一定晶向制成扩散压敏电阻,当硅膜片受压时,膜片的变形将使扩散电阻的阻值发生变化。硅平膜片上的扩散电阻通常构成桥式测量电路,相对的桥臂电阻是对称布置的,电阻变化时,电桥输出电压与膜片所受压力成对应关系。
图1为一种压阻式压力传感器的结构示意图,硅平膜片在圆形硅杯的底部,其两边有两个压力腔,分别输入被测差压或被测压力与参考压力。髙压腔接被测压力,低压腔与大气连通或接参考压力。膜片上的两对电阻中,一对位于受压应力区,另一对位于受拉应力区,当压力差使膜片变形,膜片上的两对电阻阻值发变化,使电桥输出相应压力变化的信号。为了补偿温度效应的影响,一般还可在膜片上沿对压力不敏感的晶向生成一个电阻,这个电阻只感受温度变化,可接入桥路作为温度补偿电阻,以提高测量精度。


图1 压阻式压力传感器

压阻式压力传感器的特点:是灵敏度高,频率响应高;测量范围宽,可测低至10Pa的微压到高至60Mpa的高压;精度高,工作可靠,其精度可达±0.2%~0.02%;易于微小型化,目前国内生产出直径φ1.8~2mm的压阻式压力传感器。

压阻式压力传感器的基本原理是惠斯顿电桥,输出差分电压。如下图:

对于硅压阻式压力传感器来说,由于材料的特性,该电桥上的四个电阻都存在温度系数,并且,压敏系数也存在温度系数,且小于零。所以,必须要温度补偿。该类传感器在恒流供电和恒压供电时,对于灵敏度的温度漂移有很大的差别。




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