谁能给个IGBT驱动的应用电路图？
摘自电子产品世界《采用555的IGBT正激驱动电源电路设计》
IGBT驱动板原理示意图
下图为DA962Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动300A/1700V的IGBT驱动板，落木源电子所生产的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。
下图为DA1022Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动2400A/1700V的IGBT驱动板，落木源电子所生产的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。
2. 5V电平输入信号可直接连接，如信号的高电平Vim高于5V，应在输入端串连一个电阻Ri和电容Ci，Ri使输入电流为Ipwm，即Ri=(Vim－Vpwm)/Ipwm)＝(Vim－5)/10mA；Ci=470pF。
3. 最高工作频率与负载和驱动器周围的环境温度有关，实验表明在100℃、100KHz和100n负载的极限情况下驱动器能够正常工作，但为了长期可靠地工作，还是不要超过参数表的范围，并在负载重、环境温度高时适当降低工作频率。
4. 触发过流保护动作时的7脚对16脚的电压。当7脚对16脚(即IGBT的发射极)的电位升高到7.5V时启动内部的保护机制，在6、16脚间接一个电阻Rn可以降低过流保护的阈值。具体关系是Rn/Vn（KΩ/V）＝∞/7.5，220/7，100/6.4，68/6，47/5.6，36/5.1，27/4.7，22/4.3，18/3.9，15/3.6，12/3.2，10/2.8，8.2/2.5。为安全起见，用户调试时可以先接比预算值稍小的电阻，提高保护灵敏度。
5. 检测到IGBT集电极的电位高于保护动作阈值后到开始降栅压的时间。因为各种尖峰干扰的存在，为避免频繁的保护影响开关电源的正常工作，设立盲区是很有必要的。在5、16脚间接一个电容Cblind可以调大盲区时间，关系为Cblind/Tblind(pF/μS)＝0/0.4，47/0.6，68/1.1，100/1.8，150/2.8。一般情况下可设置在2－4μS左右。
6. 初始栅压开始降低Vdrop到驱动器开始软关断IGBT之间的时间。在Tdelay时间内，如果过流信号消失，则驱动器认为这种过流不属于真正的短路，无需中断电源的正常工作，从而恢复原来的驱动电平。如果过流信号继续存在，则将进入软关断的进程。在8和16脚间接一个电容Cdelay，可以设定延迟判断时间Tdelay，在Vp=24V时的关系为Cdelay/Tdelay(pF/μS)＝0/1.4，47/2.4，100/4.1，150/5.5,220/7.8。一般情况下可设置在2-4μS左右。
7. 驱动脉冲电压从Voh-Vdrop降到0电平的时间。在11、16脚接一个电容Csoft，可加大软关断时间，在Vp=24V时的关系为Csoft/Tsoft(nF/μS)＝0/2.2，2.2/3.5，4.7/4.6，10/7。一般情况下可设置在3-4μS左右。
软关断开始后，驱动器封锁输入PWM信号，即使PWM信号变成低电平，也不会立即将输出拉到正常的负电平，而要将软关断断过程进行到底。软关断开始的时刻，驱动器的12脚输出低电平报警信号，一般要接一个光耦PE，将信号传送给控制电路。
8. 短路故障发生后，驱动器软关断IGBT，如果控制电路没有采取动作，则驱动器再次输出驱动脉冲的间隔时间。在13、16脚接一个电容Creset，可延长再次启动的时间，在Vp=24V时的关系为Creset/Trst(nF/mS)＝0/1.15，1/2.3，2/3.45，基本线性关系。
应用连接图
http://www.pwrdriver.com/product/img/ka101_application.gif
1. 滤波电容Cc、Ce、Cp可用22～47μF电解电容、再各并联一个1μ以上的CBB电容，耐压Cc、Ce>=25V，Cp>=35V。
2. 电容Cblind、Creset、Cdrop、Cdelay、Csoft根据具体要求设计。如果主电路是单管电路，PE可以不用，同时应将复位时间Trst调到较大数值，以保护IGBT。
3. Rg=2.2－22Ω。Rg+控制栅极的充电速度，Rg-控制放电速度，可以短路17、18脚只用一个。
4. 隔离反馈二极管Dhv应选用高压快恢复管，如HER107、FUR1100等。
5. KA101短路保护特性的测试请参见：短路保护功能测试 。
6. 静态输出波形的测试请参见：正常输出波形的测试。
功率元件IGBT驱动电路的研究
http://www.igbt168.cn/ReadNews.asp?NewsID=316
http://www.microsemi.com/micnotes/1903.pdf
这个pdf的名字叫IGBT driver application manual，可能对你有用。
19880207296：igbt驱动板的典型IGBT驱动板电路原理图
宗浅选
：答：下图为DA962Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动300A/1700V的IGBT驱动板，市售全功能版本的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。下图为DA102Dx系列原理图，参考下图可设计出最大可驱动2400A/1700V的IGBT驱动板。
19880207296：求一份用IGBT实现控制三相异步电机的电路图
宗浅选
：答：给你一个原理图，上面的图为主电路，下面的为控制电路。主电路需要有一个直流电压源，剩下的是6个IGBT管子，三相输出直接接异步电机的定子即可。控制电路，是控制IGBT管子开通和关断的，其中ua、ub、uc,是三相正弦量，互差120°，ut是频率约为1000Hz的三角波。向左转|向右转 ...
19880207296：我想用igbt控制一个400伏10A电路的通断,请问igbt的控制电路,应该如何...
宗浅选
：答：驱动电路及参数如图3所示。HCPL-316J左边的VIN+，FAULT和RESET分别与微机相连。R7，R8，R9，D5，D6和C12 起输入保护作用，防止过高的输入电压损坏IGBT，但是保护电路会产生约1µs延时，在开关频率超过100kHz时不适合使用。Q3最主要起互锁作用，当两路PWM信号（同一桥臂）都为高电平时，Q3导通，...
19880207296：IGBT的驱动电路
宗浅选
：答：1.这个模块里面已经集成了驱动电路，就是图中的pre-driver，上桥臂三个，三个下桥臂共用一个。准确说这个应该是一个IPM模块，而非IGBT模块，他们的区别就在于是否集成了驱动电路。2.驱动电路顾名思义，就是驱动IGBT的：将输入的PWM信号转化成可以开通和关断IGBT的电平标准；使得驱动电流足以可以开通和...
19880207296：IGBT的驱动电路是怎么样的?
宗浅选
：答：IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下：1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：原方N1到副方N2出项两种导通：正向：C3放电—...
19880207296：igbt驱动电路的简介
宗浅选
：答：IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区...
19880207296：IGBT工作原理
宗浅选
：答：IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
19880207296：谁能给个IGBT驱动的应用电路图?
宗浅选
：答：在5、16脚间接一个电容Cblind可以调大盲区时间，关系为Cblind/Tblind(pF/μS)＝0/0.4，47/0.6，68/1.1，100/1.8，150/2.8。一般情况下可设置在2－4μS左右。6. 初始栅压开始降低Vdrop到驱动器开始软关断IGBT之间的时间。在Tdelay时间内，如果过流信号消失，则驱动器认为这种过流不属于...
19880207296：IGBT模块的工作原理?
宗浅选
：答：IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素...
19880207296：igbt的驱动
宗浅选
：答：LDI单元对传送来的IGBT工作状态信号进行解码处理，使之在控制回路中得以处理 。为防止2SD106AI-17的两路输出驱动信号相互干扰，由DC/DC转换器提供彼此隔离的电源供电。同时，还提供了电源监测电路，当控制电源电压低于10~11V时，模块会自动把IGBT封锁，同时产生一个错误信号。 图1 SCALE驱动模块的内部原理...
