求一张IGBT全桥开关电源电路图。本人是用于sstc特斯拉线圈。要有过流过压保护的。求自己画清晰的

定频sstc上中下分别是 驱动 电源 功率部分

特斯拉线圈的工作原理

13031149649：12v开关电源电路图及原理?
邴吴雨 ：答：通过移相控制，超前桥臂在全负载范围内实现了零电压软开关，滞后桥臂在75%以上的负载范围内实现了零电压软开关。图2为滞后桥臂IGBT的驱动电压和集射极电压波形，可以看出实现了零电压开通。12v开关电源电路图讲解 1、市电经D1整流及C1滤波后得到约300V的直流电压加在变压器的①脚(L1的上端)，同时此电...

13031149649：求一张IGBT全桥开关电源电路图。本人是用于sstc特斯拉线圈。要有过...
邴吴雨 ：答：过流保护可以用检测IGBT的饱和压降（Vce)方法，同时用霍尔检测负载的电流 两种方式

13031149649：开关电源电路图 开关电源工作原理
邴吴雨 ：答：复位时间应相等，所以电路中脉冲的占空比不能大于50%。由于这种电路在开关管VT1导通时，通过变压器向负载传送能量，所以输出功率范围大，可输出50-200 W的功率。电路使用的变压器结构复杂，体积也较大，正因为这个原因，这种电路的实际应用较少。4.自激式开关稳压电源电路图 自激式开关稳压电源的典型电路如图...

13031149649：IGBT工作原理
邴吴雨 ：答：igbt工作原理和作用是：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RD...

13031149649：IGBT模块的工作原理?
邴吴雨 ：答：IGBT工作原理：IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否...

13031149649：igbt驱动电路的简介
邴吴雨 ：答：IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区...

13031149649：给个简单的开关电源电路图
邴吴雨 ：答：开关电源主要有三部分组成：PWM控制模块、开关管（BJT、MOSFET、IGBT等）和滤波器（电感、电容），隔离开关电源还包括隔离变压器。当然还要考虑EMI，PFC，即功率因数校正)的设计。在小功率的电源中还存在一些线性电源，但在中、大功率的电源中，线性电源已经被开关电源所取代。随着控制芯片频率的提高和功能的...

13031149649：谁能给个IGBT驱动的应用电路图?
邴吴雨 ：答：5. 检测到IGBT集电极的电位高于保护动作阈值后到开始降栅压的时间。因为各种尖峰干扰的存在，为避免频繁的保护影响开关电源的正常工作，设立盲区是很有必要的。在5、16脚间接一个电容Cblind可以调大盲区时间，关系为Cblind/Tblind(pF/μS)＝0/0.4，47/0.6，68/1.1，100/1.8，150/2.8。一般...

13031149649：...反激,半桥,全桥等分类,半桥和全桥开关电源如何理解?最好推荐个原...
邴吴雨 ：答：原理图就是这样，左边是半桥，右边是全桥，可以看出半桥需要两个开关管，每个驱动脉冲开关管各开/关一次，上管开时下管关，电流回路是开关管--到变压器---到电容到--0V。下管开时上管关，电流回路是电容--变压器--开关管--0V。变压器得到的电压是半电源电压。全桥和半桥的区别就是那两个电容用...

13031149649：IGBT电路中IGBT的栅极为什么不接任何电极?是不是省略了?高人教一下!谢...
邴吴雨 ：答：相反当第二个和第四个IGBT导通，另两个不导通，则电流从输出变压器的右边流到左边。可以看出，这个全桥电路可以改变负载端的电流流向。 这种电桥电路常用是用于直流电机的正反转。 而从这个电路上看，它应该是应用于变频器或者逆变器的交流输出端的。就是可以把直流电通过对四个IGBT栅极的控制，输出一定...